quantum efficiency系統(tǒng)可以測(cè)試各種光電器件，包括p-n節(jié)和染料敏化太陽(yáng)能電池(DSSCs)。系統(tǒng)中包括光源，單色儀，濾光片，和光學(xué)模塊，用以在光電器件上形成輻射，同時(shí)一個(gè)偏置光也會(huì)被加在器件上，用來(lái)模擬使用條件。計(jì)算機(jī)連接單色儀，數(shù)據(jù)采集設(shè)備，完成信號(hào)轉(zhuǎn)換，校準(zhǔn)，保存測(cè)試數(shù)據(jù)，并生成報(bào)告。不同的系統(tǒng)包含不同的配置，并且有不各種不同的選項(xiàng)配置。
 

　　1.預(yù)選的太陽(yáng)能電池(光電材料)IPCE/QE/量子效率/光譜響應(yīng)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)配置；
 

　　2.簡(jiǎn)單靈活的太陽(yáng)能電池(光電材料)IPCE/QE/量子效率/光譜響應(yīng)測(cè)試軟件；
 

　　3.各種光源作為選項(xiàng)以滿足不同的測(cè)試要求；
 

　　4.Stanford光學(xué)斬波器和鎖相放大器保證高信噪比；
 

　　5.校準(zhǔn)過(guò)的標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器；
 

　　6.太陽(yáng)能電池(光電材料)IPCE/QE/量子效率/光譜響應(yīng)測(cè)試夾具。
 

　　quantum efficiency在制程改善上的應(yīng)用：
 

　　①當(dāng)太陽(yáng)光照射到太陽(yáng)能電池時(shí)，光通過(guò)的順序?yàn)榭狗瓷鋵印層、PN結(jié)面、P層、背電極。抗反射層因能隙較大，僅會(huì)吸收短波長(zhǎng)的光，因此短波段(300nm-350nm)通常反應(yīng)抗反射層的特性。
 

　　②大于350nm的光陸續(xù)穿過(guò)N層、PN結(jié)面與P層，因各層厚度的不同，所吸收的波段范圍依序?yàn)?50nm-500nm波段(N層)，500nm-800nm波段(PN結(jié)面)，800nm-1100nm(P層)，在350-500nm波段，光譜曲線是隨著波長(zhǎng)的增加而提升，因長(zhǎng)波長(zhǎng)光子穿透深度較深，接近PN結(jié)面，因此轉(zhuǎn)換效率提升。
 

　　③一般效率部分都是落在PN結(jié)面的波段，因PN結(jié)面內(nèi)部電場(chǎng)可有效率的拆解吸收光子后的電子-空穴對(duì)，效率500nm-800nm波段，反映的是PN結(jié)面層的特性。
 

　　④800-1100nm波段穿透到下層的P層，光譜隨波長(zhǎng)增加而快速遞減的原因有二種，800-1000nm波長(zhǎng)越長(zhǎng)，產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)越遠(yuǎn)離PN結(jié)面，需由擴(kuò)散機(jī)制到達(dá)PN結(jié)面，距離PN結(jié)面越遠(yuǎn)，再擴(kuò)散到PN結(jié)面前就被復(fù)合的機(jī)率較高，所以800nm-1000nm光譜隨波長(zhǎng)遞減。